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BUZ73

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BUZ73

Herst.- Nr.:

BUZ73

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs N-Ch 200V 7A TO220-3

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

BUZ73 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	400 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	40 ns
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	BUZ73XK
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

BUZ73 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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