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GS61008P-TR

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

499-GS61008P-TR

Herst.- Nr.:

GS61008P-TR

Herst.:

Infineon Technologies

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Lagerbestand:: Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

IGC033S101XTMA1

Beschreibung:

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Lebenszyklus:

Neues Produkt: Neu von diesem Hersteller.

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.3 V
Qg - Gate-Ladung:	8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	GaNPX
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Maximale Betriebsfrequenz:	10 MHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	GS6100x
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	E-Mode