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IGT65R025D2ATMA1

Name: Infineon IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGT65R025D2ATMA1
Price: 10.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGT65R025D2ATMA1

Herst.- Nr.:

IGT65R025D2ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGT65R025D2ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 10.37	CHF 10.37
	CHF 7.11	CHF 71.10
	CHF 6.11	CHF 611.00
	CHF 5.63	CHF 2’815.00
	CHF 5.14	CHF 5’140.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 4.79	CHF 9’580.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-HSOF-8
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	236 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	9 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	650V G5
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	CoolGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Artikel # Aliases:	IGT65R025D2 SP006026239

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Datenblatt

IGT65R025D2ATMA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.