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IMLT65R026M2HXTMA1

Name: Infineon IMLT65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMLT65R026M2HXTM
Price: 10.55 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMLT65R026M2HXTM

Herst.- Nr.:

IMLT65R026M2HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IMLT65R026M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

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	CHF 10.55	CHF 10.55
	CHF 7.86	CHF 78.60
	CHF 6.55	CHF 655.00
	CHF 5.85	CHF 2’925.00
	CHF 5.52	CHF 5’520.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	CHF 5.52	CHF 9’936.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	82 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	365 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.1 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	10.1 ns
Serie:	650V G2
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.3 ns
Artikel # Aliases:	IMLT65R026M2H SP005969467

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Datenblatt

IMLT65R026M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolSiC™ 650 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies nutzen das Betriebsverhalten von Siliciumcarbid und reduzieren Energieverluste, was zu einem höheren Wirkungsgrad während der Leistungsumwandlung führt. Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies bieten Vorteile für verschiedene Halbleiter-Energieanwendungen, wie Photovoltaik, Energiespeicher, DC-EV-Ladestationen, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung. Eine DC-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet sind, ermöglicht bis zu 10 % weniger Leistungsverlust als frühere Generationen und gleichzeitig eine höhere Speicherkapazität ohne Kompromisse bei den Formfaktoren.