SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
Ergebnisse: 1’267
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
361Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
443Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Datenblatt
56Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
290Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
80Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC-MOSFETs 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
262Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
144Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC-MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Datenblatt
288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
114Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
APC-E SiC-MOSFETs 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Datenblatt
270Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
31Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Datenblatt
30Auf Lager
750erwartet ab 28.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
128Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
85Auf Lager
450erwartet ab 19.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
122Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
148Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Central Semiconductor SiC-MOSFETs 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Datenblatt
27Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
630Auf Lager
10’000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263
Datenblatt
1’168Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Datenblatt
2’244Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
Datenblatt
907Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Datenblatt
12Auf Lager
600erwartet ab 08.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

AEC-Q100
APC-E SiC-MOSFETs 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C


Coherent SiC-MOSFETs 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
Datenblatt
139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 24.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 172 nC - 55 C + 200 C 660 W Enhancement