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IMT65R033M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R033M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R033M2HXUMA
Price: 7.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMT65R033M2HXUMA

Herst.- Nr.:

IMT65R033M2HXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IMT65R033M2HXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 7.83	CHF 7.83
	CHF 5.82	CHF 58.20
	CHF 4.85	CHF 485.00
	CHF 4.35	CHF 2'175.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 3.69	CHF 7'380.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	312 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.8 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	9.1 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.8 ns

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Datenblatt

IMT65R033M2HXUMA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies nutzen das Betriebsverhalten von Siliciumcarbid und reduzieren Energieverluste, was zu einem höheren Wirkungsgrad während der Leistungsumwandlung führt. Die 650-V-Siliciumcarbid-MOSFETs G2 CoolSiC™ von Infineon Technologies bieten Vorteile für verschiedene Halbleiter-Energieanwendungen, wie Photovoltaik, Energiespeicher, DC-EV-Ladestationen, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung. Eine DC-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet sind, ermöglicht bis zu 10 % weniger Leistungsverlust als frühere Generationen und gleichzeitig eine höhere Speicherkapazität ohne Kompromisse bei den Formfaktoren.