IR2102SPBF
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Gate-Treiber HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 1.92 | CHF 1.92 | |
| CHF 1.42 | CHF 14.20 | |
| CHF 1.34 | CHF 33.50 | |
| CHF 1.16 | CHF 116.00 | |
| CHF 1.12 | CHF 280.00 | |
| CHF 1.07 | CHF 535.00 | |
| CHF 1.03 | CHF 1’030.00 | |
| CHF 1.02 | CHF 2’550.00 | |
| CHF 0.996 | CHF 3’784.80 |
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Datenblatt
Application Notes
EOL
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Thailand
- Herstellungsland:
- Thailand
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
Liechtenstein
