IR2130SPBF
Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen
Siehe Produktspezifikationen
942-IR2130SPBF
IR2130SPBF
Herst.:
Beschreibung:
Gate-Treiber 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
Gate-Treiber 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt
Datenblatt:
Auf Lager: 1’592
-
Lagerbestand:
-
1’592 sofort lieferbarEin unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
-
Lieferzeit ab Hersteller:
-
24 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 7.27 | CHF 7.27 | |
| CHF 5.63 | CHF 56.30 | |
| CHF 5.23 | CHF 130.75 | |
| CHF 4.78 | CHF 478.00 | |
| CHF 4.56 | CHF 1’140.00 | |
| CHF 4.43 | CHF 2’215.00 | |
| CHF 4.31 | CHF 4’310.00 | |
| CHF 4.08 | CHF 8’160.00 |
Datenblatt
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Six-Output 600V MGDs Simplify 3-Phase Motor Drives (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
EOL
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- Miniaturization of the Power Electronics for Motor Drives (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
Konformitätscodes
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Ursprungsklassifikationen
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Herstellungsland:
- Malaysia
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
