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CGH40006P

Name: MACOM CGH40006P
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40006P
Price: 81.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGH40006P

Herst.- Nr.:

CGH40006P

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt

Datenblatt:

CGH40006P Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	440109
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	750 mA
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Entwicklungs-Kit:	CGH40006P-TB
Verstärkung:	13 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	2 GHz
Ausgangsleistung:	9 W
Verpackung:	Tray
Produkt:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	80
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V
Gewicht pro Stück:	4.605 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
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