Zum Hauptinhalt wechseln

+49 (0)89 520 462 110

Teil der TTI Family of Specialists Kontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +49 (0)89 520 462 110 Feedback

Standort wählen

Auf Lager

RoHS

Login
Neuer Kunde? Hier starten
Login
Neuer Kunde? Hier starten

Bestellhistorie

Herst.	Herst.- Nr.:	Menge	Endpreis

Warenkorb ansehen

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

GTRB226002FC-V1-R0

MACOM

Mouser-Nr.:

941-GTRB226002FCV1R0

Herst.- Nr.:

GTRB226002FC-V1-R0

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 450W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT

Datenblatt:

GTRB226002FC-V1-R0 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: Voraussichtlichen Liefertermin anfordern

Menge eingeben:

Minimum: 50 Vielfache: 50

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
	CHF 137.88	CHF 6’894.00
100	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Marke:	MACOM
Verpackung:	Reel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Transistorart:	GaN HEMT

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

GTRB226002FC-V1-R0 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

Offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die drahtlose Übertragung der nächsten Generation.