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NPT1012B

Name: MACOM NPT1012B
Brand: MACOM
SKU: 937-NPT1012B
Price: 176.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

937-NPT1012B

Herst.- Nr.:

NPT1012B

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

NPT1012B Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	440 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 1.8 V
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	44 W
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Verstärkung:	13 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	4 GHz
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	3 V
Gewicht pro Stück:	220 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NPTx Series GaN Wideband Transistor

MACOM NPTx Series GaN Wideband Transistor is a wideband transistor optimized for DC-2GHz operation. This transistor supports CW, pulsed, and linear operations with output power levels of 100W (50dBm) in an industry-standard plastic package. The NPTx transistors are ideally suited for defense communications, land mobile radio, avionics, wireless infrastructure, ISM applications, and VHF/UHF/L/S-band radar.