Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

MSC090SMA070S

Name: Microchip MSC090SMA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC090SMA070S
Price: 3.82 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

494-MSC090SMA070S

Herst.- Nr.:

MSC090SMA070S

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268

In Development Tools-Auswahl anzeigen

Datenblatt:

MSC090SMA070S Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Microchip Technology MSC090SMA070S

Auf Lager: 177

Lagerbestand:: 177 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 4 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.82	CHF 3.82
	CHF 3.52	CHF 35.20
	CHF 3.46	CHF 103.80
	CHF 3.43	CHF 411.60
	CHF 3.37	CHF 909.90
	CHF 3.36	CHF 1’713.60
	CHF 3.35	CHF 3’417.00
5’010	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D3PAK-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	111 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.9 V
Qg - Gate-Ladung:	38 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	91 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	6.200 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

MSC090SMA070S Datenblatt (PDF)

DTS

In Development Tools-Auswahl anzeigen

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Microchip Technology bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium (Si)-Leistungs-MOSFETs. Diese MOSFETs haben geringe Kapazitäten, niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Avalanche-Robustheit Die SiC-MOSFETs können den Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175°C stabilisieren. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden. Typische Applikationen sind intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und -schweißen sowie Energieversorgung und -verteilung.

Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm² bis 15 J/cm² bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.