Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

QPD1028

Name: Qorvo QPD1028
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1028
Price: 1903.95 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1028

Herst.- Nr.:

QPD1028

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Qorvo QPD1028

Auf Lager: 17

Lagerbestand:: 17 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 17 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1'903.95	CHF 1'903.95

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	NI-780
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	65 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19 A
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	400 W
Marke:	Qorvo
Verstärkung:	19.8 dB
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	750 W
Verpackung:	Waffle
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1028
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Transistorart:	HEMT

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren

Qorvo QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren sind diskrete -Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-HEMT (High-Electron-Mobility Transistoren), die von 1,2 GHz bis 1,4 GHz betrieben werden. Diese Bauteile bieten eine gesättigte Ausgangsleistung von 59 dBm mit einer großen Signalverstärkung von 18 dB und einem Drain-Wirkungsgrad von 70 %. Die QPD1028 und QPD1028L Transistoren sind intern für eine optimale Leistung vorabgestimmt und können sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe unterstützen.