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TP65H035G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H035G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H035G4YS
Price: 4.3 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H035G4YS

Herst.- Nr.:

TP65H035G4YS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

TP65H035G4YS Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	46.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	42.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	156 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	12.4 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	1200
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	GaN FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	108 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	43 ns

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Datenblatt

TP65H035G4YS Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

TP65H035G4YS 650 V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4YS 650 V SuperGaN® Feldeffekttransistor (FET) ist ein 35 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET mit 35 mΩ in einem vierpoligen TO-247-Gehäuse. Dieses normalerweise ausgeschaltete Bauelement nutzt die Gen-IV-Plattform von Renesas Electronics und kombiniert einen Hochspannungs-GaN-HEMT mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET. Dies führt zu überlegener Zuverlässigkeit und einem besseren Betriebsverhalten. Die Gen IV SuperGaN-Plattform nutzt fortschrittliche Epi- und patentierte Designtechnologien, um die Fertigung zu vereinfachen. Die Plattform verbessert gleichzeitig den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Crossover-Verlusten, Ausgangskapazität und Sperrverzögerungsladung. Das SuperGaN-Bauelement TP65H035G4YS mit vier Anschlüssen kann als ursprüngliche Design-In-Option oder als Drop-In-Ersatz für vierpolige Silizium- und SiC-Lösungen nutzt werden, die Stromversorgungen ab 1 kW unterstützen. Zu den idealen Applikationen für den 650 V SuperGaN-FET von Renesas Electronics gehören Anwendungen in der Datenkommunikation und Industrie, PV-Umrichter und Servomotoren.