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TP65H100G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H100G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H100G4PS
Price: 5.01 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H100G4PS

Herst.- Nr.:

TP65H100G4PS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TP65H100G4PS Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.65 V
Qg - Gate-Ladung:	14.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.5 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	7.1 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	GaN FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns

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Datenblatt

TP65H100G4PS Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.