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TP70H300G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4LSGBTR
Price: 3.58 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP70H300G4LSGBTR

Herst.- Nr.:

TP70H300G4LSGB-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TP70H300G4LSGB-TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.58	CHF 3.58
	CHF 2.39	CHF 23.90
	CHF 1.84	CHF 184.00
	CHF 1.63	CHF 815.00
	CHF 1.39	CHF 1'390.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.31	CHF 3'930.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN

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Datenblatt

TP70H300G4LSGB-TR Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.