Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 14.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT018W65G3-4AG

Herst.- Nr.:

SCT018W65G3-4AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

SCT018W65G3-4AG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG

Auf Lager: 475

Lagerbestand:: 475 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 32 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 14.67	CHF 14.67
	CHF 11.23	CHF 112.30
	CHF 8.58	CHF 858.00
	CHF 7.83	CHF 4’698.00
	CHF 6.79	CHF 8’148.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	HiP-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	27 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	77 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	398 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	29 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	64 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24.5 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SCT018W65G3-4AG Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCTWA90N65G2Vx 650-V-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650-V-Leistungs-MOSFETs sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs mit 18 mΩ (typisch) und 119 A Nennwerten. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem HiP247- und HiP247-4-Gehäuse verfügbar. Die SCTWA90N65G2Vx 650-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über eine extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung und einen Quellen-Sensor-Pin für einen höheren Wirkungsgrad. Diese MOSFETs wurden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Zu den Applikationen gehören Stromversorgung für erneuerbare Energiesysteme, Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, Ladestationen, Schaltnetzteile, DC/DC-Wandler und Industrie-Motorsteuerung.

650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.