SCT019W120G3-4AG
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Siehe Produktspezifikationen
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511-SCT019W120G3-4AG
SCT019W120G3-4AG
Herst.:
Beschreibung:
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 15.82 | CHF 15.82 | |
| CHF 12.25 | CHF 122.50 | |
| CHF 10.42 | CHF 1’042.00 | |
| CHF 10.02 | CHF 6’012.00 |
Konformitätscodes
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Ursprungsklassifikationen
- Ursprungsland:
- Nicht lieferbar
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
