SCT025H120G3-7

STMicroelectronics
511-SCT025H120G3-7
SCT025H120G3-7

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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STMicroelectronics
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SiC MOSFETS
SMD/SMT
Reel
Cut Tape
Marke: STMicroelectronics
Kanalmodus: Enhancement
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 25 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 55 A
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Verpackung/Gehäuse: H2PAK-7
Pd - Verlustleistung: 375 W
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Qg - Gate-Ladung: 73 nC
Qualifikation: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 37 mOhms
Anstiegszeit: 27 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 48 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 23 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 3 V
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Nicht lieferbar
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.