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SCTL90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTL90N65G2V
Price: 24.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCTL90N65G2V

Herst.- Nr.:

SCTL90N65G2V

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Datenblatt:

SCTL90N65G2V Datenblatt (PDF)

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CHF -.--

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Gehäuse:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 24.72	CHF 24.72
	CHF 18.10	CHF 181.00
	CHF 17.68	CHF 1’768.00
	CHF 17.67	CHF 8’835.00
	CHF 15.03	CHF 15’030.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 15.03	CHF 45’090.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	157 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	935 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	38 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns
Gewicht pro Stück:	180 mg

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Datenblatt

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PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.