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SCTW90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW90N65G2V
Price: 18.41 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCTW90N65G2V

Herst.- Nr.:

SCTW90N65G2V

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

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Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

SCTW90N65G2V Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 17.43	CHF 174.30
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	HiP-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.9 V
Qg - Gate-Ladung:	157 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	390 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	38 ns
Serie:	SCTW90N
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns
Gewicht pro Stück:	4.500 g

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Datenblatt

SCTW90N65G2V Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Italien
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.