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SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 2.17 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT105R70ILB

Herst.- Nr.:

SGT105R70ILB

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-8
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	105 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	4.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	158 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Verpackung:	Reel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Modus PowerGaN-Transistoren

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN-Transistoren von STMicroelectronics sind hochleistungsfähige Anreicherungsmodus-GaN-Bauteile (normalerweise ausgeschaltet), die entwickelt wurden, um außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Leitungsverluste und eine hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Leistungsumwandlungs-Applikationen zu ermöglichen. Diese Transistoren nutzen die vorteilhafte große Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Sperrverzögerungsladung von null zu erzielen, was einen überlegenen Wirkungsgrad im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungsschaltern ermöglicht.