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SGT120R65AL

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT120R65AL

Herst.- Nr.:

SGT120R65AL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

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Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

SGT120R65AL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	120 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 155 C
Pd - Verlustleistung:	192 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	9.7 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	E-Mode
Regelabschaltverzögerungszeit:	8.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.1 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

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Application Notes

Models

SGT120R65AL Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

SPICE Model (Zip)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT120R65AL 650 V E-Modus-PowerGaN-Transistor

Der 650V E-Mode PowerGaN-Transistor SGT120R65AL von STMicroelectronics bietet eine maximale Strombelastbarkeit von 15 A in Kombination mit einer bewährten Gehäusetechnologie und einem Kelvin-Source-Anschluss für eine optimale Gate-Ansteuerung. Das daraus resultierende G-HEMT-Bauteil bietet extrem niedrige Leitungsverluste, eine hohe Strombelastbarkeit und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, der eine hohe Leistungsdichte und einen unschlagbaren Wirkungsgrad ermöglicht. Der SGT120R65AL ist in einem kompakten, oberflächenmontierbaren PowerFLAT 5×6 HV Industriestandard-Gehäuse erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören PC-Adapter, USB-Wandladegeräte und kabelloses Laden.