TSG65N110CE RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N110CERVG
TSG65N110CE RVG

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor

Datenblatt:
ECAD Model:
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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
110 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
4 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
AEC-Q101
Marke: Taiwan Semiconductor
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TH
Abfallzeit: 4.8 ns
Verpackung: Reel
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 5 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: Si
Regelabschaltverzögerungszeit: 2.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 1.5 ns
Artikel # Aliases: TSG65N110CE
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Datenblatt

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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