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2N7002LDBZR

Name: Texas Instruments 2N7002LDBZR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-2N7002LDBZR
Price: 0.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-2N7002LDBZR

Herst.- Nr.:

2N7002LDBZR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

2N7002LDBZR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.643	CHF 0.64
	CHF 0.44	CHF 4.40
	CHF 0.278	CHF 27.80
	CHF 0.172	CHF 86.00
	CHF 0.13	CHF 130.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.11	CHF 330.00
	CHF 0.097	CHF 582.00
	CHF 0.085	CHF 765.00
	CHF 0.077	CHF 1’848.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	6 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	34 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	55 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.1 ns
Serie:	2N7002L
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel

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Datenblatt

2N7002LDBZR Datenblatt

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

Die 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs von Texas Instruments wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten. Diese MOSFETs sind Feldeffekttransistoren in einem Kunststoffgehäuse mit niedriger Gate-Schwellenspannung und niedriger Eingangskapazität. Die 2N7002L n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 6 V, eine Gate-Source-Spannung von 7 V, einen Quellenstrom von 1,4 A und einen gepulsten Drainstrom von 1,43 A (t_p = 1 s) aus. Diese MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -65 °C bis 150 °C und beinhalten eine Löttemperatur von 260 °C. Typische Applikationen sind Unterhaltungselektronik, Gebäudeautomation und Industrieautomatisierung.