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CSD13383F4T

Name: Texas Instruments CSD13383F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13383F4T
Price: 1.12 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD13383F4T

Herst.- Nr.:

CSD13383F4T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

Datenblatt:

CSD13383F4T Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.12	CHF 1.12
	CHF 0.707	CHF 7.07
	CHF 0.406	CHF 40.60
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.406	CHF 101.50
	CHF 0.347	CHF 173.50
	CHF 0.311	CHF 311.00
	CHF 0.298	CHF 745.00
	CHF 0.295	CHF 1’475.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD13383F4

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.41

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD13383F4

Beschreibung:

MOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	44 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	2.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	FemtoFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	315 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	123 ns
Serie:	CSD13383F4
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	96 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	39 ns
Gewicht pro Stück:	0.400 mg

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Datenblatt

CSD13383F4T Datenblatt

PCN

SPICE Models

CSD13383F4 PSpice Model (Rev. A)

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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