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CSD16327Q3

Name: Texas Instruments CSD16327Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16327Q3
Price: 1.35 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16327Q3

Herst.- Nr.:

CSD16327Q3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD163 A 595-CSD16327Q3T

Datenblatt:

CSD16327Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.35	CHF 1.35
	CHF 0.859	CHF 8.59
	CHF 0.567	CHF 56.70
	CHF 0.449	CHF 224.50
	CHF 0.408	CHF 408.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.369	CHF 922.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD16327Q3T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.68

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD16327Q3T

Beschreibung:

MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	6.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CSD16327Q3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	44 mg

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PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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