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CSD16407Q5C

Name: Texas Instruments CSD16407Q5C
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16407Q5C
Price: 2.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16407Q5C

Herst.- Nr.:

CSD16407Q5C

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

CSD16407Q5C Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.48	CHF 2.48
	CHF 1.61	CHF 16.10
	CHF 1.12	CHF 112.00
	CHF 0.931	CHF 465.50
	CHF 0.864	CHF 864.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.809	CHF 2’022.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Möglicher Ersatz

Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD16407Q5

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	13.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	111 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18.4 ns
Serie:	CSD16407Q5C
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11.9 ns
Gewicht pro Stück:	135.300 mg

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Power Management Guide 2018 (Rev. R)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.