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CSD17308Q3

Name: Texas Instruments CSD17308Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17308Q3
Price: 1.14 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17308Q3

Herst.- Nr.:

CSD17308Q3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T

Datenblatt:

CSD17308Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.14	CHF 1.14
	CHF 0.717	CHF 7.17
	CHF 0.475	CHF 47.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.475	CHF 1’187.50

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17308Q3T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.34

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17308Q3T

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	3.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	28 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	BQ500211AEVM-210
Abfallzeit:	2.3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.7 ns
Serie:	CSD17308Q3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	9.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.5 ns
Gewicht pro Stück:	41 mg

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PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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