Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

CSD22204WT

Name: Texas Instruments CSD22204WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22204WT
Price: 1.4 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD22204WT

Herst.- Nr.:

CSD22204WT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

Datenblatt:

CSD22204WT Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Texas Instruments CSD22204WT

Auf Lager: 134

Lagerbestand:: 134

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 250

erwartet ab 17.09.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 12

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.40	CHF 1.40
	CHF 0.896	CHF 8.96
	CHF 0.521	CHF 52.10
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.521	CHF 130.25
	CHF 0.448	CHF 224.00
	CHF 0.405	CHF 405.00
	CHF 0.403	CHF 1’007.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD22204W

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.71

Min:

Ähnliches Produkt

Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD22204W

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	24.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	2.29 us
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	600 ns
Serie:	CSD22204W
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	3.45 us
Typische Einschaltverzögerungszeit:	58 ns
Gewicht pro Stück:	2.500 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Texas Instruments NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für den niedrigsten Einschaltwiderstand und die niedrigste Gate-Ladung in den kleinstmöglichen Abmessungen mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften in einem extrem niedrigen Profil ausgelegt. Diese NexFET MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und extrem niedrige Qg und Qgd sowie einen kleinen Footprint von 1,0 mm x 1,5 mm.