CSD25484F4

Texas Instruments
595-CSD25484F4
CSD25484F4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.365 CHF 0.37
CHF 0.222 CHF 2.22
CHF 0.141 CHF 14.10
CHF 0.105 CHF 52.50
CHF 0.093 CHF 93.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.078 CHF 234.00
CHF 0.071 CHF 426.00
CHF 0.06 CHF 540.00
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Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Preis:
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1

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
2.5 A
825 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
1.09 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: CN
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 8.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 3.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CSD25484F4
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9.5 ns
Gewicht pro Stück: 0.400 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
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TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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