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CSD25501F3T

Name: Texas Instruments CSD25501F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3T
Price: 1.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25501F3T

Herst.- Nr.:

CSD25501F3T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs #NAME?

Datenblatt:

CSD25501F3T Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.19	CHF 1.19
	CHF 0.708	CHF 7.08
	CHF 0.431	CHF 43.10
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.431	CHF 107.75
	CHF 0.367	CHF 183.50
	CHF 0.329	CHF 329.00
	CHF 0.315	CHF 787.50
	CHF 0.31	CHF 1’550.00
	CHF 0.307	CHF 3’070.00
	CHF 0.298	CHF 7’450.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD25501F3

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.30

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	260 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.05 V
Qg - Gate-Ladung:	1.02 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CH,CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	945 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	428 ns
Serie:	CSD25501F3
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	1154 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	474 ns
Gewicht pro Stück:	0.300 mg

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Datenblatt

CSD25501F3T Datenblatt

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

CSD25501F3 p-Kanal-FemtoFET™-MOSFET mit –20 V und 64 mΩ

Der Texas Instruments CSD25501F3 p-Kanal-FemtoFET™-MOSFET mit 20 V und 64 mΩ ist dafür ausgelegt und optimiert, den Footprint in vielen tragbaren und mobilen Applikationen zu reduzieren. Diese Technologie kann Standard-MOSFETS für kleine Signale ersetzen, während sie eine Reduzierung von wenigstens 60 % der Größe des Footprints bietet. Der integrierte 10kΩ-Klemmenwiderstand ermöglicht abhängig vom Taktzyklus den Betrieb der Gate-Spannung (VGS) über dem maximalen internen Gate-Oxid-Wert von 6 V. Der Gate-Ableitstrom (IGSS) wird durch die Diode erhöht, wenn der VGS über 6 V ansteigt.