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CSD86311W1723

Name: Texas Instruments CSD86311W1723
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86311W1723
Price: 1.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD86311W1723

Herst.- Nr.:

CSD86311W1723

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD86311W1723 Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.27	CHF 1.27
	CHF 0.809	CHF 8.09
	CHF 0.534	CHF 53.40
	CHF 0.419	CHF 209.50
	CHF 0.382	CHF 382.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.356	CHF 1’068.00
	CHF 0.323	CHF 1’938.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-12
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	42 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	2.9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.3 ns
Serie:	CSD86311W1723
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.4 ns
Gewicht pro Stück:	4.100 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542390990
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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