ISO5852SQDWQ1

595-ISO5852SQDWQ1
ISO5852SQDWQ1

Herst.:

Beschreibung:
Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive 5.7kVrms 2.5A/5A single-chann A 595-ISO5852SQDWRQ1

Lebenszyklus:
abgekündigt
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Preis:
CHF 5.42
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Galvanisch isolierte Gate-Treiber
Versandbeschränkungen:
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RoHS:  
ISO5852S
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
1.255 W
110 ns
18 ns
20 ns
AEC-Q100
Tube
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Inverting, Non-Inverting
Kenndaten und Eigenschaften: DESAT Protection, Split Output, Miller Clamp, Power Good, Fault Output, Reset, Soft Turn Off
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Treiber: 1 Driver
Anzahl der Ausgänge: 1 Output
Betriebsversorgungsstrom: 2.8 mA
Ausgangsstrom: 5 A
Ausgangsspannung: 15 V to 30 V
Produkt: Isolated Gate Drivers
Produkt-Typ: Galvanically Isolated Gate Drivers
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 40
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 5.5 V
Versorgungsspannung - Min.: 2.25 V
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 759 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

ISO5852S IGBT-MOSFET-Gatetreiber

Texas Instruments ISO5852S IGBT-MOSFET-Gate-Treiber sind bei Mouser erhältlich und sind verstärkt isolierte 5,7kVRMS-Gate-Treiber für IGBTs und MOSFETs mit 2,5A Quellstrom und 5A Senkstrom. Die Eingangsseite wird von einer einzelnen 2,25V- bis 5,5V-Stromversorgung betrieben. Auf der Ausgangsseite ist ein Stromversorgungsbereich von mindestens 15V bis maximal 30V möglich. Zwei zusätzliche CMOS-Eingänge steuern den Ausgangsstatus des Gate-Treibers. Die kurze Verzögerungszeit von 76ns gewährleistet eine genaue Steuerung des Ausgangsstatus. Zu den typischen Anwendungen gehören isolierte IGBT- und MOSFET-Antriebe in industriellen Motorsteuerungsantrieben und Energieversorgungen, Solar-Wechselrichter, HEV- und EV-Leistungsmodule und Induktionserwärmung.
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