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UF3SC120009K4S

Name: onsemi UF3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120009K4S
Price: 53.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UF3SC120009K4S

Herst.- Nr.:

UF3SC120009K4S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247-4

Datenblatt:

UF3SC120009K4S Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	234 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	789 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	UF3SC
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

UF3SC120009K4S Datenblatt

Models

UF3SC120009K4S SPICE (Text)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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Qorvo UF3SC 650 V und 1200 V Hochleistungs-SiC-FETs

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