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T2G4005528-FS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-T2G4005528-FS

Herst.- Nr.:

T2G4005528-FS

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Lebenszyklus:

Beschränkte Verfügbarkeit:

Diese Teilenummer ist derzeit nicht bei Mouser erhältlich. Das Produkt wird eventuell eingeschränkt vertrieben oder es handelt sich um eine Sonderbestellung ab Werk.

Datenblatt:

T2G4005528-FS Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Verfügbarkeit

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	NI-360
Transistorpolung:	N-Channel
Marke:	Qorvo
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	16 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	3.5 GHz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	55 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	T2G4005528
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT
Typ:	GaN SiC HEMT
Artikel # Aliases:	T2G4005528 1099993

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Datenblatt

T2G4005528-FS Datenblatt (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
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KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.