NXH015P120M3F1PTG

onsemi
863-NXH015P12M3F1PTG
NXH015P120M3F1PTG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Screw Mount
PIM-18
N-Channel
2 Channel
77 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
2.4 V
- 40 C
+ 150 C
198 W
NXH015P120M3F1PTG
Tray
Marke: onsemi
Konfiguration: Half-Bridge
Abfallzeit: 8 ns
Höhe: 12.35 mm
Länge: 63.3 mm
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 9 ns
Verpackung ab Werk: 28
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: EliteSiC
Typ: Half Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit: 94 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 25 ns
Breite: 34.1 mm
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module

Die   NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module von onsemi enthalten 8 mΩ/ 1200 V, 10 mΩ/ 1200 V, 15 mΩ/ 1200 V und 30 mΩ/ 1200 V M3S SiC-MOSFETs, die auf der Halbbrückentopologie und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse basieren. Diese Module verfügen über  bereits aufgetragenes Wärme-Ableitungsmaterial (TIM) und ohne bereits aufgetragenes TIM. Die NXH0xxP120M3F1 Module sind mit Einpressstifte ausgelegt und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform. Diese Leistungsmodule werden in Solarwechselrichtern, Industrieleistung, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV) und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) verwendet.

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