C4MS047120J2-TR

Wolfspeed
941-C4MS047120J2-TR
C4MS047120J2-TR

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,47m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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ECAD Model:
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Wolfspeed
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
SMD/SMT
TO-263-7XL
1 Channel
1.2 kV
54 A
47 mOhms
- 10 V + 23 V
2.6 V
68 nC
- 40 C
+ 175 C
280 W
Enhancement
Marke: Wolfspeed
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 15 S
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: SiC MOSFET
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 2 ns
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Vereinigte Staaten
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1.200 V C4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V C4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in hartgeschalteten Applikationen. Die C4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die ein schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und somit den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die C4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur C3M-Produktfamilie verbesserte Eon-, ERR- und Eoff-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an hart- und weichschaltenden Topologien hinweg.

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CHF -.--
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