CDFG6558N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDFG6558NTR13PBF
Price: 8.8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

610-CDFG6558NTR13PBF

Herst.- Nr.:

CDFG6558N TR13 PBFREE

Herst.:

Central Semiconductor

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

CDFG6558N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE

Auf Lager: 2'483

Lagerbestand:: 2'483 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 8.80	CHF 8.80
	CHF 6.10	CHF 61.00
	CHF 5.10	CHF 510.00
	CHF 4.99	CHF 4'990.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 4.32	CHF 10'800.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Central Semiconductor
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	6.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Kanalmodus:	Depletion
Marke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Field Effect Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Power FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

CDFG6558N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.