IGLD65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGLD65R055D2AUMA
IGLD65R055D2AUMA1

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PG-LSON-8
HEMT
1 Channel
650 V
20 A
70 mOhms
- 10 V
1.2 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
91 W
Enhancement
CoolGaN
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 14 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: GaN Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 8 ns
Serie: 650 V G5
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Artikel # Aliases: IGLD65R055D2 SP005825087
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.