MASTERGAN1L

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1L
MASTERGAN1L

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
Nicht auf Lager
Lieferzeit ab Hersteller:
26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 7.14 CHF 7.14
CHF 5.35 CHF 53.50
CHF 5.11 CHF 127.75
CHF 4.43 CHF 443.00
CHF 4.23 CHF 1'057.50
CHF 3.85 CHF 1'925.00
CHF 3.45 CHF 3'450.00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 5.78
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marke: STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Pd - Verlustleistung: 40 mW
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 70 ns
Verpackung ab Werk: 1560
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen RDS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.