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NTTFS1D4N04XMTAG

Name: onsemi NTTFS1D4N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D4N04XMTAG
Price: 1.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS1D4N04XMTAG

Herst.- Nr.:

NTTFS1D4N04XMTAG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTTFS1D4N04XMTAG Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 1.58	CHF 1.58
	CHF 1.02	CHF 10.20
	CHF 0.697	CHF 69.70
	CHF 0.591	CHF 295.50
	CHF 0.494	CHF 494.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.455	CHF 682.50
	CHF 0.431	CHF 1'293.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	178 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.43 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	35.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	103 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	NTTFS1D4N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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Datenblatt

NTTFS1D4N04XMTAG Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(ON), eine geringe Q_G und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.