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NTTFSSCH0D7N02X

Name: onsemi NTTFSSCH0D7N02X
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH0D7N02X
Price: 2.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFSSCH0D7N02X

Herst.- Nr.:

NTTFSSCH0D7N02X

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTTFSSCH0D7N02X Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.08	CHF 2.08
	CHF 1.35	CHF 13.50
	CHF 0.961	CHF 96.10
	CHF 0.802	CHF 401.00
	CHF 0.763	CHF 763.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.648	CHF 3'240.00
	CHF 0.632	CHF 6'320.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	310 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	580 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	33 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	87 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	57 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	190 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	NTTFSSCH0D7N02X
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns

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Datenblatt

NTTFSSCH0D7N02X Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(ON), eine geringe Q_G und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.