Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTTFSSH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSH1D3N04XL
Price: 2.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFSSH1D3N04XL

Herst.- Nr.:

NTTFSSH1D3N04XL

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTTFSSH1D3N04XL Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTTFSSH1D3N04XL

Auf Lager: 2'368

Lagerbestand:: 2'368 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 24 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 2.25	CHF 2.25
	CHF 1.46	CHF 14.60
	CHF 1.05	CHF 105.00
	CHF 0.875	CHF 437.50
	CHF 0.805	CHF 805.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.685	CHF 2'055.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	207 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	107 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	123 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	NTTFSSH1D3N04XL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTTFSSH1D3N04XL Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(ON), eine geringe Q_G und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.