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PMPB07R3ENX

Name: Nexperia PMPB07R3ENX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMPB07R3ENX
Price: 0.85 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMPB07R3ENX

Herst.- Nr.:

PMPB07R3ENX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 12A

Datenblatt:

PMPB07R3ENX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.851	CHF 0.85
	CHF 0.529	CHF 5.29
	CHF 0.388	CHF 19.40
	CHF 0.342	CHF 34.20
	CHF 0.254	CHF 254.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.203	CHF 609.00
	CHF 0.187	CHF 1'122.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

PMPB07R3ENAX

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.68

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT1220-2-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns
Artikel # Aliases:	934662428115

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Datenblatt

PMPB07R3ENX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte bieten WLCSP- und unbedrahtete DFN-Gehäuse für mobile und tragbare Applikationen. Die SSMOS-Gehäuse von Nexperia bieten eine extrem kleine DFN-Lösung in der heutigen häufig verwendeten Rastermaß-Größe von 0,35 mm. Diese extrem kleinen Gehäuse sind eine ideale Ersatzlösung, wo Platz entscheidend ist. Sie bieten eine erhebliche Platzeffizienz bei minimalem Montageaufwand. Alle Teile sind sowohl als n-Kanal als auch p-Kanal erhältlich und mit einem ESD-Schutz von > 2 kV und einer hohen Leistungsfähigkeit von > 1.300 mW ausgestattet.