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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 7.88 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT65R65AL

Herst.- Nr.:

SGT65R65AL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT65R65AL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 7.88	CHF 7.88
	CHF 5.45	CHF 54.50
	CHF 4.44	CHF 444.00
	CHF 4.41	CHF 2’205.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 3.82	CHF 11’460.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Qg - Gate-Ladung:	5.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	305 W
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Transistorart:	E-Mode
Typ:	RF Power MOSFET
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

SGT65R65AL Datenblatt (PDF)

Application Notes

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistor

STMicroelectronics SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistoren sind Transistoren mit 650 V, 25 A und einer bewährten Gehäusetechnologie. Der SGT65R65AL von STMicroelectronics umfasst ein G-HEMT-Bauteil, das extrem niedrige Leitungsverluste, eine hohe Strombelastbarkeit und einen extrem schnellen Schaltbetrieb bietet. Das Bauteil kann eine hohe Leistungsdichte und unschlagbare Effizienzleistungen ermöglichen.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.