Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

UF3SC120040B7S

Name: onsemi UF3SC120040B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120040B7S
Price: 25.87 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UF3SC120040B7S

Herst.- Nr.:

UF3SC120040B7S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO263-7

Datenblatt:

UF3SC120040B7S Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi UF3SC120040B7S

Auf Lager: 270

Lagerbestand:: 270 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 270 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 25.87	CHF 25.87
	CHF 20.25	CHF 202.50
	CHF 20.24	CHF 2'024.00
	CHF 20.13	CHF 10'065.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	CHF 18.92	CHF 15'136.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	47 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	214 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns, 8 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC FETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	12 ns, 13 ns
Serie:	UF3SC
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typ:	SiC FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Gewicht pro Stück:	4.675 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

UF3SC120040B7S Datenblatt

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Qorvo UF3SC Hochleistungs-SiC-FETs in D2-PAK

Qorvo UF3SC Hochleistungs-SiC-FETs in D2-PAK-7L (7-poliges Kelvin-Gehäuse) basieren auf einer einzigartigen „Kaskoden“-Schaltungskonfiguration und zeichnen sich durch eine hervorragende Sperrverzögerung aus. Diese Schaltung enthält ein im Normalzustand leitendes SiC JFET, das zusammen mit einem Si MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC FET Bauelement zu erzeugen. Die UF3SC-FETs verfügen über Standard-Gate-Treibereigenschaften, die einen echten “Drop-in Ersatz” für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Super-Junction-Bauelemente ermöglichen. Diese Hochleistungs-SiC-FETs arbeiten bei einer maximalen Temperatur von 175°C, einer niedrigen Gate-Ladung von 43nC und einer typischen Schwellenspannung von 5 V. Typische Applikationen sind Telekommunikations- und Serverstromversorgung, Motorantriebe, Induktionserwärmung und industrielle Stromversorgungen.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Qorvo UF3SC 650 V und 1200 V Hochleistungs-SiC-FETs

Qorvo UF3SC 650-V- und 1.200-V-Hochleistungs-SiC-FETs sind Siliziumkarbid-Bauelemente mit einem niedrigen R_DS(on) von 7 mΩ bis 45 mΩ. Sie sind für schnelle Schaltgeschwindigkeiten und geringere Schaltverluste konzipiert. Diese Bauteile basieren auf einzigartiger Kaskoden-Schaltung und weisen eine extrem niedrige Gate-Ladung auf. Die Kaskodenkonfiguration verwendet einen im Normalzustand eingeschalteten SiC-JFET, der mit einem Silizium-MOSFET zusammengeschaltet ist, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC-FET-Bauelement zu erzeugen. Die UF3SC-FETs zeichnen sich durch standardmässige Gate-Treiber-Eigenschaften aus, die einen echten „Drop-in-Ersatz“ für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bauteile ermöglichen. Diese SiC-FETs verfügen über eine niedrige intrinsische Kapazität und eine ausgezeichnete Sperrverzögerung. Die UF3SC FETs von Qorvo werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C und einem Gate-Source-Spannungsbereich von -20 V bis +20 V betrieben. Diese SiC-FETs eignen sich hervorragend für das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Photovoltaik-Wechselrichter (PV), Motorantriebe, Schaltnetzteile, Blindleistungskompensationsmodule (PFC) und Induktionserwärmung. Die UF3SC SiC-FETs von Qorvo sind in TO-247-3L- und TO-247-4L-Gehäuseoptionen für ein schnelleres Schalten und saubere Gate-Wellenformen verfügbar.