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SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 4.03 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT080R70ILB

Herst.- Nr.:

SGT080R70ILB

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT080R70ILB Datenblatt (PDF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.03	CHF 4.03
	CHF 2.84	CHF 28.40
	CHF 2.45	CHF 245.00
	CHF 2.37	CHF 1'185.00
	CHF 2.31	CHF 2'310.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 2.23	CHF 6'690.00
24'000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-8
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	6.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns
Gewicht pro Stück:	154 mg

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

Der STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor ist ein Anreicherungs-Transistor, der für Applikationen mit hohem Wirkungsgrad für die Leistungsumwandlung ausgelegt ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V und einem typischen Einschaltwiderstand von nur 80 mΩ nutzt der STMicroelectronics SGT080R70ILB die überragende Schaltleistung der Galliumnitrid-Technologie (GaN), um Leitungs- und Schaltverluste zu minimieren. Der Transistor ist in einem kompakten PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse untergebracht, unterstützt den Hochfrequenzbetrieb und eignet sich hervorragend für den Einsatz in Resonanzwandlern, Blindleistungskompensation (PFC) und DC/DC-Wandlern. Niedrige Gate-Ladung und Ausgangskapazität ermöglichen schnellere Übergänge und reduzierte Energiedissipation, wodurch sich der SGT080R70ILB gut für anspruchsvolle Applikationen in der Unterhaltungselektronik, in Industriesystemen und Rechenzentren eignet.