HV-D3 mSiC® Leistungsmodule

Die HV-D3 mSiC® Leistungsmodule von Microchip Technology vereinfachen und beschleunigen den Einsatz von Halbleitertransformatoren (SSTs) in Hyperscale-Rechenzentren für KI und anderen Hochspannungsanwendungen. Diese hocheffizienten Leistungsmodule vereinen 3,3-kV-mSiC-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) und Schottky-Dioden in einem 62-mm-Gehäuse nach Industriestandard. Diese Konstruktion ermöglicht eine effiziente Stromversorgung von Mittelspannungsnetzen direkt zu den Server-Racks. Die HV-D3-Module zeichnen sich durch geringe Schaltverluste, eine hohe thermische Leistungsfähigkeit und eine hohe Leistungsdichte für anspruchsvolle Anwendungen aus. Zu den typischen Anwendungsbereichen für die HV-D3-mSiC Leistungsmodule von Microchip Technology zählen die Leistungsübertragung und -verteilung, industrielle Stromversorgung, Rechenzentren, Schifffahrt und Luft- und Raumfahrt, Infrastruktur für Elektrofahrzeuge (EV) sowie Anlagen für erneuerbare Energien.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-D3
2erwartet ab 02.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
4erwartet ab 08.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-D3
3erwartet ab 02.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
2erwartet ab 02.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-D3 Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-D3 Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW