DMWSH120Hx 1.200 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind Siliziumkarbid-MOSFETs, die zur Reduzierung des Einschaltwiderstands und zur Aufrechterhaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung ausgelegt sind. Diese MOSFETs verfügen über eine niedrige Eingangskapazität, einen Null-Gate-Spannungs-Drainstrom von bis zu 100 μA, einen Gate-Source-Ableitstrom von bis zu ±250 nA und eine hohe BVDSS -Nennleistung für Stromapplikationen. Die DMWSH120Hx MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben und entsprechen der UL 94 V-0 Brennbarkeitsklasse. Diese Leistungs-MOSFETs sind ideal geeignet für den Einsatz in EV-Hochleistungs-DC/DC-Wandlern, EV-Ladesystemen, Solaranlagen-Umrichtern, AC-DC-Traktionsumrichtern und Fahrzeugmotortreibern.

Ergebnisse: 10
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement
Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
39Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole To-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
90Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 170 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
92Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement